• SU-8光刻膠模具SU-8模具加工常用設(shè)備/耗材：等離子體處理機(jī)、勻膠機(jī)（旋涂機(jī)）、紫外線曝光機(jī)、熱板、SU-8顯影液等。SU-8光刻膠模具案例????????...2026-03-31 03:40:37
• 光刻掩膜版制作流程，從而形成所需的圖案。4. 曝光將掩模圖案數(shù)據(jù)文件導(dǎo)入曝光設(shè)備，如電子束曝光機(jī)。在曝光過(guò)程中，光刻膠中的光敏分子會(huì)因?yàn)楣饣螂娮邮恼丈涠l(fā)生變化。5....2024-09-14 08:44:25
• 基于微流控技術(shù)實(shí)現(xiàn)嚴(yán)格厭氧條件下的細(xì)菌單細(xì)胞培養(yǎng)與實(shí)時(shí)觀測(cè)（上）序。?e. 將硅片置于平整的熱板上 95 ℃ 烘 2 min。?f. 在曝光機(jī)的吸盤周圍套入橡膠圈，將第一層鉻板掩膜清潔干凈后放在臺(tái)架上(鍍鉻面向下)...2024-04-22 10:01:06
• AZ 5214E 光刻膠圍AZ光刻膠工藝條件：前烘：100℃ 60秒?(DHP)曝光：1線步進(jìn)式曝光機(jī)/接觸式曝光機(jī)反轉(zhuǎn)烘烤：110~125℃ 90秒（DHP）：去離子水30...2024-03-28 10:29:49
• AZ P4620 光刻膠擇AZ光刻膠工藝條件：前烘：100℃ 90秒?(DHP)曝光：G線步進(jìn)式曝光機(jī)/接觸式曝光機(jī)顯影：AZ300MIF顯影液 (2.38%)?23℃?60...2024-03-28 10:29:14
• 光刻工藝介紹在可接受范圍內(nèi)是可以接受的。光刻過(guò)程基本可以分為兩個(gè)階段。第一階段為通過(guò)曝光機(jī)將所需圖形轉(zhuǎn)移到硅片或者掩模版的表層光刻膠上；第二階段為顯影階段，通過(guò)顯...2023-12-21 10:56:32
• 光刻機(jī)是光刻工藝的核心設(shè)備? ? ? ??光刻機(jī)(lithography)又名：掩模對(duì)準(zhǔn)曝光機(jī)，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術(shù)，把掩膜版上的精細(xì)圖形通過(guò)光線的曝光印制到硅片上。?　　光刻機(jī)一般根據(jù)操作...2022-11-22 08:50:23
• 微流控芯片模板是如何加工的束后，電熱板調(diào)至 65 ℃?zhèn)溆谩?（9）硅片曝光：將冷卻后的芯片置于紫外曝光機(jī)的吸盤上，組裝固定。紫外曝光的具體時(shí)間要依據(jù)芯片的具體要求進(jìn)行調(diào)整，該實(shí)...2022-07-22 14:28:36
• PDMS-玻璃鍵合芯片完整工藝 2 所示。本文的陽(yáng)膜是在超凈間內(nèi)制作完成，其中所用的主要設(shè)備是勻膠機(jī)，曝光機(jī) ，以及可編程熱板 PHP-8 等，設(shè)備如圖 3 所示。（1）預(yù)處理：首...2022-03-31 14:37:35
• 基于時(shí)間分辨免疫分析的冰毒檢測(cè)微流控芯片試劑G3P-8旋轉(zhuǎn)涂覆機(jī)；KW-4AH烤膠機(jī)；SERIES-60平行紫外曝光機(jī)；ARV-310液體混合真空攪拌機(jī)；FG-5001空氣等離子體處理機(jī)；打...2018-11-07 09:49:11