光刻機(lithography)又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統等，是制造芯片的核心裝備。它采用類似照片沖印的技術，把掩膜版上的精細圖形通過光線的曝光印制到硅片上。

　　光刻機一般根據操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動。

　　手動：指的是對準的調節方式，是通過手調旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準，對準精度不高。

　　半自動：指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧。

　　自動：指的是從基板的上載下載，曝光時長和循環都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要。

　　光刻工藝定義了半導體器件的尺寸，是IC制造中的關鍵環節。作為芯片生產流程中最復雜、最關鍵的步驟，光刻工藝難度最大、耗時最長，芯片在生產過程中一般需要進行20~30次光刻，耗費時間約占整個硅片工藝的40～60%，成本極高，約為整個硅片制造工藝的1/3。一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等工序。

　　光刻機是光刻工藝的核心設備，也是所有半導體制造設備中技術含量最高的設備，包含上萬個零部件，集合了數學、光學、流體力學、高分子物理與化學、表面物理與化學、精密儀器、機械、自動化、軟件、圖像識別領域等多項頂尖技術。作為整個芯片工業制造中必不可少的精密設備——光刻機，其光刻的工藝水平直接決定芯片的制程和性能水平，因此光刻機更是被譽為半導體工業皇冠上的明珠。

光刻機行業市場規模的增量主要來自EUV，全球銷量占比27%的EUV與ArF immersion占光刻機市場銷售額的82%。EUV光刻機銷量31臺占比8%，銷售額55億美元同比增長76%，占光刻機市場規模的比例為41%;ArF i銷量80臺占19%，銷售額估計54億美元同比下降7%，但占全球光刻機市場的40%。值得注意的是，EUV數量占比最小，而金額占比最小，i-Line市場數量占比最高為34%，而金額占比僅為3%，體現出工業不同的價格差距，高端光刻機工藝壟斷，下游具備較強議價權，而低端產品雖然銷量較高，然而市場價格競爭激烈，價格較低。

根據《電路產業發展研究報告》，我國半導體設備國產化率約為18.8%。該數據包括集成電路、LED、面板、光伏等設備，預計國內集成電路設備國產化率僅為8%左右。細分而言，目前我國企業在去膠設備、清洗設備、刻蝕設備、熱處理設備、PVD設備、CVD設備、CMP設備、涂膠顯影設備均有突破，部分產品成功實現了國產替代。然而對于光刻設備我國仍處于被掐住喉嚨的狀況，國產化率仍不到百分之一，市場高度依賴進口，且國產化進程整體較慢。

隨著中國大陸代工廠的不斷擴建，未來對于國產光刻機的需求不斷提升，而當前國內與國外頂尖光刻機制程仍存在較大差距，國產光刻機應從如下幾個方面尋求突破：1、產業分工：國內涉及相關光刻機零部件的企業形成產業分工，各取所長研發、提供相應的技術和零部件;2、科研投入：目前國內企業仍存有買辦思維，光刻機作為人類智慧的結晶，高科技產物，科研投入必不可少;3、技術突破：匯集頂尖人才對于核心技術優先突破;4、人才積累：注重獎勵機制。

整體而言，目前全球光刻設備的格局是：ASML一家獨占鰲頭，成為唯一的一線供應商，旗下產品覆蓋了全部級別的光刻機設備;Nikon高開低走，但憑借多年技術積累，勉強保住二線供應商地位;而Canon只能屈居三線;上海微電子裝備(SMEE)作為后起之秀，暫時只能提供低端光刻設備，由于光刻設備對知識產權和供應鏈要求極高，短期很難達到國際領先水平。

目前光刻機行業已經成為一個高度壟斷的行業。如果沒有特別原因，這一格局在未來的時間里都很難發生變化。

免責聲明：文章來源網絡  以傳播知識、有益學習和研究為宗旨。 轉載僅供參考學習及傳遞有用信息，版權歸原作者所有，如侵犯權益，請聯系刪除。