光刻掩模版通常被連續(xù)用作幾乎每個(gè)光刻工藝步驟中。在處理晶圓/樣品時(shí)，掩膜版通常會(huì)變臟。由于光刻過程中我們常用的接觸是光刻機(jī)需要掩膜版與光刻膠上表面緊密接觸以提高光刻精度，因此隨著時(shí)間的推移，光刻膠的小碎片不可避免地會(huì)粘在掩膜版上。即使在“最佳情況”下，這些碎片會(huì)影響接觸式光刻機(jī)的分辨率；它們還可能導(dǎo)致掩膜版上的鉻特征結(jié)構(gòu)受到不可逆轉(zhuǎn)的損傷。

為了防止此類問題，通常會(huì)使用以下兩種標(biāo)準(zhǔn)工藝來實(shí)現(xiàn)掩膜版的清洗：

日常清洗：使用丙酮和異丙醇定期清潔，

強(qiáng)力清洗：使用 5:1 – 100°C 食人魚溶液進(jìn)行強(qiáng)力清潔。

為確保更長(zhǎng)的掩模壽命，應(yīng)在每次光刻后進(jìn)行定期清潔。當(dāng)定期清潔后光刻膠碎片留在掩膜上時(shí)，建議進(jìn)行強(qiáng)力清潔。

本文檔描述了兩種清潔工藝的標(biāo)準(zhǔn)操作流程。僅作為參考使用，為了您和他人是人身安全，請(qǐng)謹(jǐn)慎操作。

日常清洗

請(qǐng)?jiān)趯?shí)驗(yàn)室溶劑濕法工作臺(tái)區(qū)域操作

所需器皿：2 個(gè)方形耐熱玻璃盤

所需化學(xué)品：丙酮、異丙醇 (IPA)

日常清洗操作說明：

分別用丙酮和 IPA 填充兩個(gè)耐熱玻璃盤。倒入足夠的溶劑以確保掩膜版完全浸沒。

將掩膜版在丙酮中浸泡 10 分鐘。每 2 分鐘手動(dòng)攪拌一次，輕輕抬起盤子的一側(cè)。

將掩膜版浸泡在 IPA 中 10 分鐘。每 2 分鐘手動(dòng)攪拌一次，輕輕抬起盤子的一側(cè)。

漂洗：從 IPA 中取出掩膜版并將其浸泡在先前準(zhǔn)備好的去離子水浴中（5 英寸面罩適合 6 英寸晶舟）。開始 使用去離子水3 次循環(huán)沖洗。然后使用吹槍用氮?dú)獯蹈擅嬲?/span>

清理工作：將溶劑丟棄在溶劑臺(tái)下方的專用廢液容器中。用清水沖洗所有實(shí)驗(yàn)室器具 3 次，然后將它們放在干燥架上。

強(qiáng)力清洗

請(qǐng)?jiān)趯?shí)驗(yàn)室的非 HF 濕法工作臺(tái)內(nèi)進(jìn)行操作

所需器具：1 個(gè)正方形或長(zhǎng)方形耐熱玻璃盤，2 個(gè)量筒，加熱熱板

化學(xué)品：過氧化氫（H 2 O 2）、硫酸（H 2 SO 4）

注意：必要的話，請(qǐng)尋找技術(shù)人員的協(xié)助！

強(qiáng)力清洗操作說明：

食人魚清洗在這里主要用于去除掩模版上存在的所有光刻膠/抗蝕劑殘留。因此，請(qǐng)參考Piranha 清潔 說明，并進(jìn)行以下修改：

在這種情況下，硫酸與過氧化氫的比例為 5:1。

推薦的溫度在 70-100°C 之間，因此可以使用加熱板來加熱溶液。

清洗時(shí)間：10-15分鐘。

清洗完成后依然需要對(duì)掩膜版進(jìn)行漂洗和3次沖洗操作，并使用氮?dú)鈽尨蹈伞?/span>

清理工作：在有明顯安全提示標(biāo)識(shí)下冷卻食人魚液，然后將其倒入特定的廢液回收桶中，最后清洗所有試驗(yàn)容器和工具，然后將其放置于干燥架上。

總結(jié)

本文僅提供了兩種實(shí)驗(yàn)室常用的掩膜版清洗工藝，并不能替代實(shí)驗(yàn)室操作手冊(cè)。由于實(shí)驗(yàn)過程使用到危險(xiǎn)化學(xué)品，請(qǐng)務(wù)必嚴(yán)格遵守實(shí)驗(yàn)室管理?xiàng)l例，嚴(yán)格遵守當(dāng)?shù)丨h(huán)保要求相關(guān)法律法規(guī)。注意自身安全防護(hù)！在操作前，獲得必要的實(shí)驗(yàn)室許可，嚴(yán)格遵循實(shí)驗(yàn)室安全規(guī)范，充分閱讀相關(guān)化學(xué)品材料安全數(shù)據(jù)表，熟悉緊急處理措施！

當(dāng)然，針對(duì)掩膜版上的光刻膠殘留，我們也可以使用氧等離子去膠機(jī)來進(jìn)行清洗，針對(duì)比較嚴(yán)重的顆粒污染物，我們也可以配合使用兆聲清洗機(jī)進(jìn)行清洗，可有效去除顆粒污染物。

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