微流控SU8掩膜版的制作是一個復雜的工藝過程，涉及到多個步驟。以下是詳細的制作流程：

1. 掩膜版設計

原理圖設計：根據微流控芯片的設計要求，進行原理圖設計，分析元件需接線方向，設計需要在掩膜版上印制的圖案。

版圖生成：使用專業的CAD軟件生成掩膜版的版圖，確保圖案的精確性和完整性。

2. 掩膜版制作

基板準備：選擇高潔凈度、高平整度的石英玻璃作為基板。

鍍層：在石英玻璃上鍍上一層鉻，鉻上再覆蓋一層防反射物質，最上面涂覆一層感光膠。

曝光：使用圖形發生器通過選擇性曝光在鉻版的感光膠上形成所需版圖圖形。

顯影：將曝光后的基板放入顯影劑中，使未曝光部分的感光膠溶解，形成掩膜版的圖案。

腐蝕：使用腐蝕液去除未被感光膠保護的鉻層，形成最終的掩膜圖形。

去膠：去除剩余的感光膠，完成掩膜版的制作。

3. 硅片基板準備

清洗：采用丙酮對硅片表面進行清洗，再使用超聲波機對硅片進行超聲處理，最后經等離子水清洗后，采用壓縮空氣吹干。

烘烤：將清洗干凈的硅片放置在熱板上進行烘烤，以去除殘留的水分。

4. 涂覆SU8光刻膠

涂膠：在硅片表面涂覆一層SU8-2025光刻膠，可以采用灘涂的方法，借助光刻膠自身的整平能力獲得滿意平整表面的膠膜。

前烘：將涂膠后的硅片放置在電熱板上進行前烘，采用階梯式的升溫和自然降溫冷卻的過程。

65℃停留30分鐘

95℃停留4小時

自然冷卻至室溫

5. 光刻曝光

曝光：使用雙面激光對準光刻機對硅片基板上的SU8-2025光刻膠進行曝光，根據設計要求設定曝光時間。

后烘：將曝光后的硅片放置在熱板上進行后烘，以確保光刻膠的交聯反應完成。

65℃停留20分鐘

95℃停留2小時

自然冷卻至室溫

6. 顯影

顯影：將后烘后的硅片放入SU8顯影液中，使未曝光部分的光刻膠溶解，形成模具的圖案。

顯影時間根據光刻膠厚度和顯影劑濃度進行調整，此處顯影時間20分鐘

7. 清洗和檢查

清洗：使用去離子水和異丙醇清洗硅片基板，去除殘留的顯影液。

檢查：使用顯微鏡檢查制備的SU-8模具，測試觀察制備的微結構尺寸，確認圖案的清晰度和質量。

微流控SU8掩膜版的制作是一個多步驟的精密工藝，需要嚴格控制每一步的操作條件，以確保最終產品的質量和性能。通過上述步驟，可以制備出高質量的微流控SU8掩膜版，為后續的微流控芯片制備提供基礎。

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