在微流控芯片的加工過程中，通常都會用到模具，尤其是在PDMS芯片加工的過程中。PDMS芯片加工通常采用軟光刻技術來制作。為了執行PDMS軟光刻技術的加工過程，通常您需要用到模板，常規和經常使用的模板一定是環氧樹脂SU-8模具。每年都會有許多實驗室從事微流控芯片的加工活動，并且有時會使用不好的實驗設備或不正確的實驗方法。本博文簡要介紹如何使用環氧樹脂SU-8加工一個PDMS芯片模具的基本知識。

本文中，介紹使用旋涂機來分配/勻涂樹脂，當然也可以使用其他技術來勻涂樹脂。文中將會給出加工SU-8模具的一些小提示和技巧。

SU-8模具加工過程通常可以劃分為9個主要步驟，按照模具加工的順序如下所示：

   1、準備晶片/圓片

   2、 旋涂負性SU-8光刻膠

   3、 軟烤（光刻膠的第一次烘烤）

   4、 邊緣光刻膠的去除（可選）

   5、 紫外曝光

   6、 曝光后烘烤（光刻膠的第二次烘烤）

   7、 顯影

   8、 硬烘烤（光刻膠的第三次烘烤）（可選）

   9、校驗檢查  

注：本文主要以硅晶片為例，當然，也可以使用其他基底如表面修飾的玻璃。

1、 準備晶片/圓片 即使晶片是新的，在接收到SU-8光刻膠之前，也需要有充分的準備。如果您在潔凈室里面，您可以使用食人魚溶液（piranha solution）（H2SO4+H2O2），來清洗晶片；如果您在潔凈室外邊，那么您可以使用丙酮溶液來清洗硅片。如果您確定晶圓的表面狀態，那么也可以不用清洗晶圓，但是強烈建議您對晶圓進行清洗。在任何情況下，您必須對您的晶圓進行加熱以便消除表面上的水分。例如本人建議在120°C的烘箱中加熱處理15min。該加熱步驟非常重要，因為它將會使SU-8更好的粘貼在基底上。 如果您碰到把光刻膠均勻的鋪在表面上有困難或者如果在軟烘烤的過程中，光刻膠在光刻膠層中形成空洞，那么這意味著光刻膠沒有充分的潤濕基底。用等離子體處理（氧氣或空氣等離子有很好的效果）5min可以增加光刻膠分布的均勻性或降低空洞的形成。 最后，即使在脫水步驟中，光刻膠有時也不會粘貼在基底上，此時，您可以使用通過氣體如HMDS或以液體形式沉積的助粘劑，用旋涂的方法把助粘劑先勻涂在基底上，然后再勻涂光刻膠。

2、 

2、旋涂負性SU-8光刻膠

為了制造稍后要成為模具的光刻膠層，我們使用旋涂機來旋涂光刻膠。旋涂技術是經常使用的一門用來制造所需光刻膠層厚度的技術。對于如何使用旋涂技術來獲得SU-8，我將會另立一篇文章。

旋涂技術在于把少量的SU-8光刻膠放在旋轉的基底上。旋轉速度、加速度和SU-8光刻膠的黏度將會限定SU-8光刻膠層/光致抗蝕劑層的厚度。

要成功完成這一步，必須采取一些預防措施：

1、確保旋涂機是完全平坦的；

2、盡可能的把晶圓放在旋涂機卡盤上的中心以便獲得光刻膠層的分布；

3、盡可能的把光刻膠放在晶圓的中心位置；

4、采用2個步驟來旋涂SU-8光刻膠：第一步是采用在10-30秒內的低旋轉速度和低加速度來把光刻膠旋涂在基底上，第二部是采用在30-60秒內的高旋轉速度和高加速度來控制光刻膠層的厚度；

5、使用微量移液器來分配光刻膠以便控制所使用的SU-8光刻膠的量。

6、

3、軟烤（光刻膠的第一次烘烤）

軟烘烤的目的是蒸發溶劑，使SU-8光刻膠更加堅固。蒸發會稍微改變光刻膠層的厚度并使其暴露在UV光下。事實上，大約7%的溶劑量便能夠獲得良好的曝光。對于如何獲得良好的SU-8烘烤，將會另立一篇。

這將取決于光刻膠層的厚度，但請記住，問題點是SU-8光刻膠內部的機械應力。為了盡可能的減小這種機械應力，您必須稍微的加熱和冷卻。使用熱板來烘烤SU-8光刻膠，它可以讓您從晶圓的底部到頂部產生熱量，從而有利于溶劑的蒸發。為了做一個連續的加熱，我建議您遵循一個特殊的加熱模式，第一個加熱平臺在65°C，然后第二個加熱平臺在95°C，每個加熱平臺的時間取決于SU-8光刻膠層的厚度。

在這個步驟的最后，在繼續并完成加工過程之前，晶圓可以在黑暗條件下和平坦的表面上保存數周而不會出現任何嚴重的后果。

 4、 邊緣光刻膠的去除（可選）

    邊緣光刻膠去除步驟在于移除晶圓旋涂后周邊的珠狀光刻膠。邊緣珠狀的出現是由光刻膠的表面張力引起的。由于光刻膠層的邊緣比較厚，因此，光刻膠層的高度取決于光刻膠的黏度。特別是對于非常粘稠的光刻膠，邊緣微珠可以升高若干μm，因此，必須將其去除。事實上，在曝光步驟中，邊緣微珠阻止了掩膜版盡可能的接近晶片，并且掩膜版和晶圓之間的間隙將導致設計中的分辨率下降。

通常，在高速旋轉時，通過向基底的邊緣注入丙酮來去除邊緣微珠。這個步驟可由大型設備通過手動或自動來實現。

5、紫外曝光過程

 曝光的目的是通過激活光刻膠中的部分PAC（PhotoActiv Component）來引發交聯反應。這種活化會改變樹脂的局部性質，烘烤以后，它將溶于或不溶于溶劑。由于SU-8是一種負性光刻膠，這意味著暴露在UV光下的部分會變硬，而另一部分在顯影的過程中會被溶解掉。

曝光參數的選擇還需謹慎小心：

1、SU-8的曝光波長為365nm；

2、曝光時間取決于光刻膠層的厚度和燈的功率；

3、接觸模式是非常重要的，不接觸將會導致分辨率下降。在真空接觸模式下，您可以把晶圓粘貼在掩膜版上。

 6、 曝光后烘烤（光刻膠的第二次烘烤）

第二次光刻膠烘烤被稱為后曝光烘烤（Post Exposure Bake）。正如其名字所說，僅僅就是在紫外線照射之后。紫外曝光使SU-8光刻膠中的光敏成分活化，但是需要能量來使其繼續反應；這種烘烤便帶來了這種能量。

至于軟烘烤，問題點是SU-8光刻膠內部的機械應力，因此，加熱和冷卻必須輕微操作以便盡可能的減小這種應力。加熱模式與軟烘模式相同，第一個加熱平臺在65°C，然后第二個加熱平臺在95°C，每一個加熱平臺的時間取決于SU-8光刻膠層的厚度。在進行下一個步驟之前，請確保您的晶圓處于室溫下。

 7、 負性環氧樹脂SU-8光刻膠的顯影

顯影是未發生交聯的SU-8光刻膠在溶劑中稀釋的一個步驟。在這個步驟中，芯片的通道設計被轉移到基底上。使用SU-8顯影劑可對SU-8光刻膠進行顯影。SU-8顯影劑是Microchem公司生產的產品，主要由PGMEA（丙二醇單甲醚乙酸酯）組成，但是也可以使用Ethyl-lactate（乳酸乙酯）或者Di-acetone（二丙酮醇）來顯影SU-8膠。

1、把晶圓放在50mL顯影液的結晶器內；

2、SU-8顯影時間取決于膠層的厚度，通常在1min至15min以上；

3、在顯影的過程中，維持良好的攪拌以便盡可能的獲得良好的顯影；

4、用異丙醇沖洗晶圓。如果有白色痕跡留下，再次顯影1-2min。如果仍有部分白色痕跡存在，更換溶液并使用50mL的新顯影液再次處理1-2min；

5、干燥您的晶圓。

8、環氧樹脂SU-8膠的硬烘（光刻膠的第三次烘烤）

第三次和最后一次光刻烘烤被稱為“硬烘烤”，這是該過程的最后一步，但是是可選的。SU-8光刻膠內部在加工過程結束時仍會保留很多強度，這些強度會在膠層的表面產生裂紋或者導致膠層的剝離。硬烘烤在高溫（超過120°C）下加熱SU-8光刻膠，可以抑制膠層內的殘留強度。正是由于硬烘的這個優勢，SU-8光刻膠層內的部分裂縫便會消失而且膠層會變得更硬。再次，硬烘與軟烘和PEB相同，光刻膠的加熱和冷卻需要輕微的進行。

9、校驗檢查

在這一步，SU-8模具已經加工完成，但是我們必須檢查它是否符合預期。為此，您必須在顯微鏡下觀察模具。然后，使用光學或機械輪廓儀來測量光刻膠層的深度。

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