汶顥股份提供高質(zhì)量的微納工藝加工服務(wù)和微納工藝加工咨詢。可提供定制的工藝包括：

1.MEMS光刻工藝：對光刻膠掩膜進(jìn)行圖形化，最小線寬0.5μm。可用于：①微流控芯片的通道圖形制備；②作為反應(yīng)離子刻蝕、深硅刻蝕和濕法腐蝕等工藝的掩蔽層；③作為金屬圖形化剝離工藝的犧牲層。

2.電子束蒸發(fā)：蒸發(fā)Ti、Al 、Ni、Au、Ge、Cr、Pt等金屬薄膜，蒸發(fā)速率0.1A/s-20A/s，最大蒸發(fā)厚度可至2μm。

3.磁控濺射：濺射Ti、Al 、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Pd、Zn等金屬薄膜，濺射速率0.1A/s-10A/s，反濺射功率0-200W，濺射功率50-500W，濺射厚度：普通金屬5nm-2000nm,貴金屬5nm-500nm。

4.原子層沉積ALD：可沉積高質(zhì)量氧化鋁薄膜。

5.光學(xué)鍍膜機

6.熱蒸發(fā)：In蒸發(fā)最大電流200A。3μm厚度起，最大單次工藝10μm。Ag蒸發(fā)最大電流150A。

7.等離子體增強化學(xué)氣相沉積

8.LPCVD化學(xué)氣相沉積：可生長致密的高質(zhì)量Si3N4薄膜，厚度10nm-300nm。

9.反應(yīng)離子刻蝕（RIE）：可用于干法刻蝕Si3N4和SiO2,刻蝕深度10nm-2000nm。

10.深硅刻蝕：可用于干法刻蝕硅，刻蝕深度50nm-600μm。

汶顥股份提供MEMS芯片工藝定制加工服務(wù)。