微流控分析芯片上微通道的制作，起源于制作半導體及集成電路芯片所廣泛使用的光刻和蝕刻技術。光刻蝕是用光膠、掩模和紫外光進行微制造，它的工藝成熟，已廣泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微結構。光刻蝕技術由薄膜沉積、光刻和刻蝕三個工序組成。

       主要包括：

       薄膜沉積：光刻前先在基片表面覆蓋一層薄膜，薄膜的厚度為數?到幾十微米，這一工藝過程叫薄膜沉積。

       光刻：在薄膜表面用甩膠機均勻地覆蓋上一層光膠。將光刻掩模上微流控芯片設計圖案通過曝光成像的原理轉移到光膠層上的工藝過程稱為光刻。

       刻蝕：是將光膠層上的平面二維圖形轉移到薄膜上并進而在基片上加工成一定深度微結構的工藝。選用適當的刻蝕劑，使它對光膠、薄膜和基片材料的腐蝕速度不同，可以在薄膜或基片上產生所需的微結構。