光刻開始于一種稱作光刻膠的感光性液體的應用。圖形能被映射到光刻膠上，然后用一個developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠又稱光致抗蝕劑，是以智能管感光材料，在光的照射與溶解度發(fā)生變化。

光刻膠成份

光刻膠通常有三種成分：感光化合物、基體材料和溶劑。在感光化合物中有時還包括增感劑。根據(jù)光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類：負性光刻膠和正性光刻膠。

1、負性光刻膠

主要有聚肉桂酸系（聚酯膠）和環(huán)化橡膠系兩大類，前者以柯達公司的KPR為代表，后者以OMR系列為代表。

2、正性光刻膠

     主要以重氮醌為感光化合物，以酚醛樹脂為基體材料。最常用的有AZ-1350系列。正膠的主要優(yōu)點是分辨率高，缺點是靈敏度、耐刻蝕性和附著性等較差。

     光刻膠的特點

      1、在光的照射下溶解速率發(fā)生變化，利用曝光區(qū)與非曝光區(qū)的溶解速率差來實現(xiàn)圖形的轉移；

      2、溶解抑制/溶解促進共同作用；

     3、作用的機理因光刻膠膠類型不同而不同；

     光刻膠的主要技術參數(shù)

     1、分辨率：區(qū)別硅片表面相鄰圖形特性的能力，一般用關鍵尺寸來衡量分辨率。形成的關鍵尺寸越小，光刻膠的分辨率越好。

     2、對比度：指光刻膠從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過渡的陡度。對比度越好，形成圖形的側壁越陡峭，分辨率越好。

     3、敏感度：光刻膠上產生一個良好的圖形所需一定波長的最小能量值（或最小曝光量）。單位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠的敏感性對于波長更短的深紫外光（DUV）、極深紫外光（EUV）等尤為重要。

     4、粘滯性/黏度：衡量光刻膠流動特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠中的溶劑的減少而增加；高的粘滯性會產生厚的光刻膠；越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠厚度。

     5、粘附性：表征光刻膠粘著于襯底的強度。光刻膠的粘附性不足會導致硅片表面的圖形變形。

     6、抗蝕性：光刻膠必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護襯底表面。

     7、表面張力：液體中將表面分子拉向液體主體內的分子間吸引力。光刻膠應該具有比較小的表面張力，使光刻膠具有良好的流動性和覆蓋。

     8、存儲和傳送：能量可以激活光刻膠。應該存儲在密閉、低溫、不透光的盒中。同時必須規(guī)定光刻膠的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。

     光刻膠的主要作用

    1、將掩膜板上的圖形轉移到硅片表面的氧化層；

    2、在后續(xù)工序中，保護下面的材料（刻蝕或離子注入）。