光刻膠與光刻技術(shù)

光刻技術(shù)也是利用光的能量，通過控制光照的區(qū)域使具有化學活性的液體化學物質(zhì)快速發(fā)生光化學反應(yīng)，并通過實現(xiàn)選擇性的腐蝕得到圖形的技術(shù)。為了實現(xiàn)選擇性的腐蝕，需要使用溶解性、熔融性或親合性在曝光后發(fā)生明顯的變化的材料。這類材料稱為光刻膠。

光刻膠具有光化學敏感性，可利用其進行光化學反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等過程，將所需要的精細圖形從掩模版轉(zhuǎn)移至待加工的襯底上，然后進行蝕刻等工藝加工。光刻膠是微制造領(lǐng)域最為重要的材料，是半導體工業(yè)最核心的工藝材料。光刻膠在隨后的發(fā)展中被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的精細圖形線路的加工制作，是精細加工技術(shù)（MEMS）的關(guān)鍵性材料。

光刻膠在微流控芯片加工中的應(yīng)用

     微流控分析芯片上微通道的制作，起源于制作半導體及集成電路芯片所廣泛使用的光刻和蝕刻技術(shù)。光刻蝕是用光膠、掩模和紫外光進行微制造，它的工藝成熟，已廣泛用于硅、玻璃和石英基片上制作微結(jié)構(gòu)。

我國光刻膠行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

2016全球光刻膠市場規(guī)模及結(jié)構(gòu)（億美元）                                               2016我國光刻膠市場規(guī)模及增速（億元）

       整體來看，我國進口光刻膠占據(jù)國內(nèi)87%的市場份額，自給率低。而國內(nèi)光刻膠受益于半導體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移及國內(nèi)電子化學品的迅速發(fā)展，需求增速遠高于全球。

光刻膠發(fā)明后，首先被運用于軍事、國防設(shè)備中高性能集成電路、光學、傳感、通訊器材等的加工制作，因此發(fā)達國家以前一直將光刻膠作為戰(zhàn)略物資加以控制。1994年巴黎統(tǒng)籌委員會（對社會主義國家實行禁運和貿(mào)易限制的國際組織）解散前，光刻膠都被列為禁運產(chǎn)品。目前盡管放松了管制，但最尖端的光刻膠產(chǎn)品依然是發(fā)達國家管制對象。

目前中國需要的絕大部分光刻膠都依賴進口或由外資企業(yè)在中國設(shè)立的工廠提供。光刻膠作為印制電路板、LCD顯示器、半導體的上游材料不能實現(xiàn)國產(chǎn)化，嚴重制約了我國微電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

光刻膠專用化學品化學結(jié)構(gòu)特殊、保密性強、用量少、純度要求高、生產(chǎn)工藝復(fù)雜、品質(zhì)要求苛刻，生產(chǎn)、檢測、評價設(shè)備投資大， 技術(shù)需要長期積累。至今光刻膠專用化學品仍主要被光刻膠生產(chǎn)大國日本、歐美的專業(yè)性公司所壟斷。

生產(chǎn)光刻膠的原料光引發(fā)劑、光增感劑、光致產(chǎn)酸劑和光刻膠樹脂等專用化學品是體現(xiàn)光刻膠性能的最重要原料，和光刻膠一樣長期以來被國外公司壟斷。我國對光刻膠及專用化學品的研究起步較晚，國家非常重視，從“六五計劃”至今都一直將光刻膠列為國家高新技術(shù)計劃、國家重大科技項目。盡管取得了一定成果，但技術(shù)水平仍與國際水平相差較大，作為原料的主要專用化學品仍然需要依賴進口。